Исследование процессов деградации свойств наноструктурированных пленок на основе SiO2–SnO2-In2O3 | Статья в журнале «Молодой ученый»

Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 11 мая, печатный экземпляр отправим 15 мая.

Опубликовать статью в журнале

Автор:

Рубрика: Технические науки

Опубликовано в Молодой учёный №18 (77) ноябрь-1 2014 г.

Дата публикации: 29.10.2014

Статья просмотрена: 129 раз

Библиографическое описание:

Брагина, Л. М. Исследование процессов деградации свойств наноструктурированных пленок на основе SiO2–SnO2-In2O3 / Л. М. Брагина. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2014. — № 18 (77). — С. 224-227. — URL: https://moluch.ru/archive/77/13282/ (дата обращения: 03.05.2024).

 

В настоящее время интенсивно изучаются газочувствительные процессы в тонких оксидных пленках и оксидных нановолокнах, имеющих вариации внутренних или внешних параметров, для разработки на их основе мультисенсорных систем распознавания газов [1–6]. Например, в работе [7] исследовано влияние однородных (7 нм) и неоднородных (до 24 нм) по толщине покрытий SiO2 на газораспознавательную способность сенсоров. Установлено, что нанесение мембраны SiO2 однородной толщины оказывает влияние не только на газочувствительный отклик пленок SnO2, но и на изменение их свойств с течением времени. Кроме того, показано, что обработка равномерным ионным пучком Ar+ поверхности пленки диоксида олова приводит к формированию дополнительных дефектов в приповерхностном слое и, соответственно, увеличению проводящего канала в объеме пленки, что приводит к уменьшению величины газочувствительного отклика и при отсутствии дифференциации свойств — к ухудшению газораспознавательной способности.

Вследствие этого немаловажной задачей становится исследование деградации свойств наноструктурированных пленок на основе двух и трехкомпонентных систем, таких как

SiO2–SnO  — 5 % In2O3; ♦ — 10 % In2O3; ▪ — 15 % In2O3; • — 25 % In2O3; ––– расчет по уравнению (1)

Рис. 1. Относительное изменение сопротивления наноструктурированных плёнок на основе SiO2-SnO2-In2O3

 

На рисунке 1 представлено изменение сопротивления наноструктурированных плёнок на основе SiO2-SnO2-In2O3, полученных золь-гель методом [8–12] в процессе эксплуатации. Анализ приведенных зависимостей R=f(t) показывает, что с течением времени происходит рост сопротивления наноструктурированных пленок, которое зависит от массовой доли оксида индия и может быть описан следующим уравнением:

                                                                                                            (1)

где R0 — начальное сопротивление пленки после отжига [кОм], A, B — эмпирические коэффициенты, имеющие размерность [кОм] и [мин] соответственно.

Рост сопротивления в процессе эксплуатации, вероятно, связан с самоокислением поверхности пленки. В поликристаллических материалах кислород диффундирует по границам зерен, так как плотность пленок может составлять меньше 90 % от плотности монокристалла, а затем в объем кристаллитов по вакансиям. Диффузия кислорода активизирует диффузию точечных дефектов в объеме пленки. С течением времени интенсивность диффузии атомов кислорода в пленке убывает за счет уменьшения концентрации вакансий в узлах кристаллической решетки, не занятых кислородом. Процесс диффузии кислорода закончится тогда, когда все вакансии в кристаллической решетке заполнены. Это соответствует распределению кислорода по всему объему наноструктурированной пленки [13–17].

Следовательно, процессы самоокисления вызывают увеличение сопротивления как вследствие увеличения интенсивности рассеяния носителей заряда за счет заполнения кислородом вакансий и образования изолирующей фазы на границах зерен пленки, так и уменьшения концентрации носителей заряда из-за их захвата атомами кислорода.

Знание закономерностей процессов самоокисления и деградации свойств наноструктурированных материалов позволяет решить одну из задач современного приборостроения, а именно, управляемого синтеза многокомпонентных систем для приборов нано- и микроэлектроники нового поколения. Следовательно, задачами данного исследования являются управление параметрами наноструктурированных пленок и их стабилизация во времени, как в процессе синтеза пленок за счет выбора технологических режимов получения [18–21], так и посредством внешних воздействий, таких как отжиг, облучение рентгеновскими лучами [22–24].

В широком временном интервале наблюдаются как резкое увеличение сопротивления наноструктурированных пленок на основе SiO2-SnO2-In2O3, так и его стабилизация (рисунок 2).

Рис. 2. Относительное изменение сопротивления наноструктурированных плёнок на основе SiO2-SnO2-In2O3. ♦– 5 % In2O3; • — 10 % In2O3; ▪ — 15 % In2O3;  — 25 % In2O3

 

Анализ рисунка 2 показывает, что при длительном хранении коэффициент старения приобретает постоянные значения, при этом зависимости для пленок с различной концентрацией In2O3 сближаются. Пренебрегая модификациями морфологии и структуры пленки, это изменение проводимости может быть объяснено изменениями концентрации основных носителей заряда либо их подвижности (в данном случае — электронов, связанных с вакансиями кислорода). Очевидно, что эти изменения определяются диффузией, в первую очередь, молекул кислорода вдоль межзеренных границ и пор, имеющихся в пленке, в объем или из объема слоя [25–28].

Следует отметить, что при низких температурах отжига, пленки имеют максимальные значения коэффициента старения сопротивления и его стабилизация наступает при больших периодах эксплуатации. Оптимальными режимами получения таких пленок с точки зрения минимальных значений коэффициента старения сопротивления являются: температура отжига более 450 °С и время свыше 30 минут [29]. Таким образом, посредством режимов синтеза можно управлять не только свойствами наноструктурированных пленок на основе SiO2-SnO2-In2O3, но и их временной стабильностью.

 

Литература:

 

1.      Аверин И. А., Пронин И. А., Карманов А. А. Исследование газочувствительности сенсоров на основе наноструктурированных композиционных материалов SiO2-SnO2 // Нано- и микросистемная техника. — 2013. — № 5. — С. 23–26.

2.      Аверин И. А., Пронин И. А., Якушова Н. Д., Горячева М. В. Особенности вольтамперных характеристик газовых сенсоров резистивного типа в мультисенсорном исполнении // Датчики и системы, 2013. — № 12 (175). — С. 12–16.

3.      Карманов А. А. Особенности синтеза материалов для чувствительных элементов мультисенсорных систем золь-гель методом // Труды международного симпозиума Надежность и качество. — 2013. — Т. 2. — С. 115–118.

4.      Аверин И. А., Никулин А. С., Печерская Р. М., Пронин И. А. Чувствительные элементы газовых сенсоров на основе пористых наноплёнок // Труды международного симпозиума Надежность и качество. — 2010. — Т. 2. — С. 101–103.

5.      Аверин И. А., Александрова О. А., Мошников В. А., Пронин И. А. Модифицирование селективных и газочувствительных свойств резистивных адсорбционных сенсоров путем целенаправленного легирования // Датчики и системы, 2013. — № 3. — С. 13–16;

6.      Moshnikov V. A., Gracheva I. E., Anchkov M. G., Pshchelko N. S., Levine K. L. Investigating properties of gas-sensitive nanocomposites obtained via hierarchical self-assembly // Smart Nanoobjects, 2013. — V. 2. — № 2. — P. 165–179.

7.      Geistlinger H. Election theory of thin-film gas sensors // Sensors & Actuators B. — 1993. — V. 17. P. 47–60.

8.      Аверин И. А., Карманов А. А., Мошников В. А., Печерская Р. М., Пронин И. А. Особенности синтеза и исследования нанокомпозитных пленок, полученных методом золь-гель технологии // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. — 2012. — № 2. — С. 155–162.

9.      Аверин И. А., Игошина С. Е., Карманов А. А., Пронин И. А. Моделирование образования золь-гель нанокомпозитных пленок // Труды международного симпозиума Надежность и качество. — 2013. — Т. 2. — С. 201–205.

10.  Аверин И. А., Пронин И. А. Особенности фазового состояния неравновесных термодинамических систем полимер-растворитель // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. — 2012. — № 2. — С. 163–169.

11.  Пронин И. А., Аверин И. А., Димитров Д. Ц., Карманов А. А. Особенности структурообразования и модели синтеза нанокомпозитных материалов состава SiO2-MexOy, полученных с помощью золь-гель технологии // Нано- и микросистемная техника. — 2014. — № 8. — С. 3–7.

12.  Аверин И. А., Александрова О. А., Мошников В. А., Печерская Р. М., Пронин И. А. Типы фазового распада растворов полимеров // Нано- и микросистемная техника. — 2012. — № 7. — С. 12–14.

13.  Аверин И. А., Пронин И. А., Мошников В. А., Димитров Д. Ц., Якушова Н. Д., Карманов А. А., Кузнецова М. В.. Анализ каталитических и адсорбционных свойств d-металлов-модификаторов диоксида олова // Нано- и микросистемная техника. — 2014. — № 7. — С. 47–51

14.  Аверин И. А., Карманов А. А., Пронин И. А. Моделирование процессов газочувствительности полупроводниковых сетчатых композитов на основе SiO2-SnO2 // Труды международного симпозиума Надежность и качество. — 2012. — Т. 1. — С. 214–216.

15.  Аверин И. А., Карпова С. С., Мошников В. А., Никулин А. С., Печерская Р. М., Пронин И. А. Управляемый синтез тонких стекловидных пленок // Нано- и микросистемная техника. — 2011. — № 1. — С. 23–25.

16.  Аверин И. А., Игошина С. Е., Карманов А. А. Исследование частотных зависимостей емкости наноструктур на основе SiO2-SnO2 // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки. — 2013. — № 3 (27). — С. 168–175.

17.  Аверин И. А., Печерская Р. М. Контролируемое изменение эксплуатационных характеристик чувствительных элементов и их временной стабильности // Нано- и микросистемная техника. — 2007. — № 1. — С. 20–23.

18.  Аверин И. А., Карманов А. А., Печерская Р. М., Пронин И. А. Исследование золя ортокремневой кислоты методом ИК-спектрометрии // Труды международного симпозиума Надежность и качество. — 2012. — Т. 2. — С. 181–182.

19.  Игошина С. Е., Карманов А. А., Сигаев А. П. Особенности ИК-спектров пропускания пленкообразующих золей на основе тетраэтоксисилана, содержащих модифицирующие соединения // Молодой ученый. — 2014. — № 9 (68). — С. 158–161.

20.  Аверин И. А., Блохин Ю. Н., Луцкая О. Ф. Термодинамическое исследование условий синтеза слоев твердых растворов PbSl-xSex // Неорганические материалы. — 1988. –Т.24. — № 2. — С. 219–222.

21.  Аверин И. А., Печерская Р. М. Управление составом многокомпонентных систем // Известия вузов поволжский регион. Сер. Естественные науки. — 2006. — Вып. 5. — С. 185–191

22.  Аверин И. А., Мошников В. А., Пронин И. А. Вклад поверхности газочувствительных композитов SnO2-In2O3 в сенсорные свойства и селективность // Нано- и микросистемная техника. — 2013. — № 9. — С. 19–21.

23.  Давыдов С.Ю, Мошников В. А., Федотов А. А. Адсорбция молекул кислорода и окиси углерода на диоксиде олова // ЖТФ, 2006. — Т. 76. — № 1. — С. 141–142.

24.  Аверин И. А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография / Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та., 2006. — 316 с.

25.  Игошина С. Е., Аверин И. А., Карманов А. А. Моделирование газочувствительности пористых пленок на основе полупроводниковых оксидов // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. — 2014. — № 2 (48). — С. 115–119.

26.  Пронин И. А., Аверин И. А., Мошников В. А., Якушова Н. Д., Кузнецова М. В., Карманов А. А. Перколяционная модель газового сенсора на основе полупроводниковых оксидных наноматериалов с иерархической структурой // Нано- и микросистемная техника. — 2014. — № 9. — С. 15–19.

27.  Игошина С. Е., Карманов А. А., Сигаев А. П. Вакуумметры с чувствительными элементами на основе пористых наноструктурированных материалов состава SiO2-SnO2 // Молодой ученый. — 2014. — № 11 (70). — С. 52–55.

28.  Аверин И. А., Аношкин Ю. В., Печерская Р. М. Исследование поверхностей слоев резистивных структур на низкоразмерном уровне // Нано- и микросистемная техника. — 2010. — № 1. — С. 25–26.

29.  Аверин И. А., Сигаев А. П., Карманов А. А., Пронин И. А., Игошина С. Е., Кудашов А. А. Влияние отжига на качественный состав наноструктурированных материалов на основе SiO2, SiO2-SnO2, SiO2-SnO2-In2O3 // Труды Международного симпозиума Надежность и качество, 2014. — Т.2.– С. 133–136.

 



[1] Работа выполнена при финансовой поддержке со стороны Минобрнауки России в рамках базовой части государственного задания ПГУ № 2014/151 (код проекта 117).

Основные термины (генерируются автоматически): пленка, течение времени, деградация свойств, кристаллическая решетка, объем пленки, относительное изменение сопротивления, процесс эксплуатации, рост сопротивления, температура отжига.


Похожие статьи

Диффузия взаимодействующих ионов фосфора и бора в структуре...

диффузионный отжиг, глубина структуры, учет комплексообразования, кривой, температура отжига, распределение концентрации, поверхность пленки, изменение времени отжига, диффузионный процесс, увеличение...

Солнечные ячейки на основе перовскитов | Статья в журнале...

Кристаллическая решетка такого перовскита изображения на рисунке 1. Атомы

К тому же полученные пленки являются очень хрупкими.

Затем производится сушка в течение 30 минут при температуре 150 градусов, а затем отжиг в течения 30–60 минут в обычной печи при...

О возможности наблюдения квантово-размерных эффектов...

Во-первых, при заданной температуре ее толщина L должна на несколько порядков превышать постоянную кристаллической решетки a0 и быть

Анализ зависимостей, представленных на рисунке 1, показывает, что с ростом толщины пленки диоксида олова энергетические уровни...

Идентификация критериального уравнения теплоотдачи...

Важное влияние на структуру сплава оказывает скорость охлаждения после отжига.

На величину энергетических затрат в процессе термической обработки оказывают влияние многие режимные и

Рис. 1. Изменение температуры слитка в течение времени охлаждения.

Получение и исследование тонких проводящих оксидов для...

Процесс рекомбинации происходит с участием колебаний кристаллической решетки (фононов).

Все пленки являются прямозонными материалами, что является желательным свойством для фотовольтаических применений.

Вакуумметры с чувствительными элементами на основе пористых...

На рисунке 1 представлено относительное изменение сопротивления пористых наноструктурированных пленок на основе диоксид олова — диоксид кремния при изменении уровня вакуума.

Исследование микроструктуры и сенсорных свойств...

С увеличением температуры отжига наблюдается уменьшение размеров части.

В таблице 1 приведены данные об удельной поверхности, а также об объёме удельного

Исследование процессов деградации свойств наноструктурированных пленок на основе SiO2–SnO2-In2O3.

Разработка высокочувствительного сенсора температуры на...

Рабочая характеристика датчика также зависит от удельного сопротивления исходного кремния, т. е. определяется также процессами в базовой области p-i-n- диода.

6. Рысбаев А. С., Нормурадов М. Т., Насриддинов С. С., Адамбаев К. А. Свойства силицидных пленок...

Диффузия взаимодействующих ионов фосфора и бора в структуре...

диффузионный отжиг, глубина структуры, учет комплексообразования, кривой, температура отжига, распределение концентрации, поверхность пленки, изменение времени отжига, диффузионный процесс, увеличение...

Солнечные ячейки на основе перовскитов | Статья в журнале...

Кристаллическая решетка такого перовскита изображения на рисунке 1. Атомы

К тому же полученные пленки являются очень хрупкими.

Затем производится сушка в течение 30 минут при температуре 150 градусов, а затем отжиг в течения 30–60 минут в обычной печи при...

О возможности наблюдения квантово-размерных эффектов...

Во-первых, при заданной температуре ее толщина L должна на несколько порядков превышать постоянную кристаллической решетки a0 и быть

Анализ зависимостей, представленных на рисунке 1, показывает, что с ростом толщины пленки диоксида олова энергетические уровни...

Идентификация критериального уравнения теплоотдачи...

Важное влияние на структуру сплава оказывает скорость охлаждения после отжига.

На величину энергетических затрат в процессе термической обработки оказывают влияние многие режимные и

Рис. 1. Изменение температуры слитка в течение времени охлаждения.

Получение и исследование тонких проводящих оксидов для...

Процесс рекомбинации происходит с участием колебаний кристаллической решетки (фононов).

Все пленки являются прямозонными материалами, что является желательным свойством для фотовольтаических применений.

Вакуумметры с чувствительными элементами на основе пористых...

На рисунке 1 представлено относительное изменение сопротивления пористых наноструктурированных пленок на основе диоксид олова — диоксид кремния при изменении уровня вакуума.

Исследование микроструктуры и сенсорных свойств...

С увеличением температуры отжига наблюдается уменьшение размеров части.

В таблице 1 приведены данные об удельной поверхности, а также об объёме удельного

Исследование процессов деградации свойств наноструктурированных пленок на основе SiO2–SnO2-In2O3.

Разработка высокочувствительного сенсора температуры на...

Рабочая характеристика датчика также зависит от удельного сопротивления исходного кремния, т. е. определяется также процессами в базовой области p-i-n- диода.

6. Рысбаев А. С., Нормурадов М. Т., Насриддинов С. С., Адамбаев К. А. Свойства силицидных пленок...

Похожие статьи

Диффузия взаимодействующих ионов фосфора и бора в структуре...

диффузионный отжиг, глубина структуры, учет комплексообразования, кривой, температура отжига, распределение концентрации, поверхность пленки, изменение времени отжига, диффузионный процесс, увеличение...

Солнечные ячейки на основе перовскитов | Статья в журнале...

Кристаллическая решетка такого перовскита изображения на рисунке 1. Атомы

К тому же полученные пленки являются очень хрупкими.

Затем производится сушка в течение 30 минут при температуре 150 градусов, а затем отжиг в течения 30–60 минут в обычной печи при...

О возможности наблюдения квантово-размерных эффектов...

Во-первых, при заданной температуре ее толщина L должна на несколько порядков превышать постоянную кристаллической решетки a0 и быть

Анализ зависимостей, представленных на рисунке 1, показывает, что с ростом толщины пленки диоксида олова энергетические уровни...

Идентификация критериального уравнения теплоотдачи...

Важное влияние на структуру сплава оказывает скорость охлаждения после отжига.

На величину энергетических затрат в процессе термической обработки оказывают влияние многие режимные и

Рис. 1. Изменение температуры слитка в течение времени охлаждения.

Получение и исследование тонких проводящих оксидов для...

Процесс рекомбинации происходит с участием колебаний кристаллической решетки (фононов).

Все пленки являются прямозонными материалами, что является желательным свойством для фотовольтаических применений.

Вакуумметры с чувствительными элементами на основе пористых...

На рисунке 1 представлено относительное изменение сопротивления пористых наноструктурированных пленок на основе диоксид олова — диоксид кремния при изменении уровня вакуума.

Исследование микроструктуры и сенсорных свойств...

С увеличением температуры отжига наблюдается уменьшение размеров части.

В таблице 1 приведены данные об удельной поверхности, а также об объёме удельного

Исследование процессов деградации свойств наноструктурированных пленок на основе SiO2–SnO2-In2O3.

Разработка высокочувствительного сенсора температуры на...

Рабочая характеристика датчика также зависит от удельного сопротивления исходного кремния, т. е. определяется также процессами в базовой области p-i-n- диода.

6. Рысбаев А. С., Нормурадов М. Т., Насриддинов С. С., Адамбаев К. А. Свойства силицидных пленок...

Диффузия взаимодействующих ионов фосфора и бора в структуре...

диффузионный отжиг, глубина структуры, учет комплексообразования, кривой, температура отжига, распределение концентрации, поверхность пленки, изменение времени отжига, диффузионный процесс, увеличение...

Солнечные ячейки на основе перовскитов | Статья в журнале...

Кристаллическая решетка такого перовскита изображения на рисунке 1. Атомы

К тому же полученные пленки являются очень хрупкими.

Затем производится сушка в течение 30 минут при температуре 150 градусов, а затем отжиг в течения 30–60 минут в обычной печи при...

О возможности наблюдения квантово-размерных эффектов...

Во-первых, при заданной температуре ее толщина L должна на несколько порядков превышать постоянную кристаллической решетки a0 и быть

Анализ зависимостей, представленных на рисунке 1, показывает, что с ростом толщины пленки диоксида олова энергетические уровни...

Идентификация критериального уравнения теплоотдачи...

Важное влияние на структуру сплава оказывает скорость охлаждения после отжига.

На величину энергетических затрат в процессе термической обработки оказывают влияние многие режимные и

Рис. 1. Изменение температуры слитка в течение времени охлаждения.

Получение и исследование тонких проводящих оксидов для...

Процесс рекомбинации происходит с участием колебаний кристаллической решетки (фононов).

Все пленки являются прямозонными материалами, что является желательным свойством для фотовольтаических применений.

Вакуумметры с чувствительными элементами на основе пористых...

На рисунке 1 представлено относительное изменение сопротивления пористых наноструктурированных пленок на основе диоксид олова — диоксид кремния при изменении уровня вакуума.

Исследование микроструктуры и сенсорных свойств...

С увеличением температуры отжига наблюдается уменьшение размеров части.

В таблице 1 приведены данные об удельной поверхности, а также об объёме удельного

Исследование процессов деградации свойств наноструктурированных пленок на основе SiO2–SnO2-In2O3.

Разработка высокочувствительного сенсора температуры на...

Рабочая характеристика датчика также зависит от удельного сопротивления исходного кремния, т. е. определяется также процессами в базовой области p-i-n- диода.

6. Рысбаев А. С., Нормурадов М. Т., Насриддинов С. С., Адамбаев К. А. Свойства силицидных пленок...

Задать вопрос